【财华社讯】4月24日，北京君正(300223.SZ)在互动平台表示，今年DRAM产能非常紧张，预计全年销量会有一定增长，但全年业绩增长预计主要会来自价格上涨。
科创芯片ETF博时（588990）涨1.60%，冲击8连涨，近1周涨12.33%；受国产存储巨头市值破千亿及AI驱动DRAM/NAND涨价催化。
科创半导体ETF华夏（588170）涨2.54%，成交6.91亿元；DRAM价格季涨30%，国产半导体设备迎发展机遇。
【财华社讯】4月8日，北京君正(300223.SZ)在互动平台表示，LPDDR5是存储芯片，公司在研的3D DRAM未来有望将存储芯片和计算芯片结合。
截至2026年4月7日10:49，科创半导体ETF华夏（588170）上涨0.83%，半导体设备ETF华夏（562590）上涨0.47%。
截至2026年4月3日13:25，科创半导体ETF华夏（588170）上涨0.45%，半导体设备ETF华夏（562590）下跌0.24%。
截至2026年4月3日14:27，科创芯片ETF国泰(589100)上涨0.54%，最新价报1.49元。拉长时间看，截至2026年4月2日，科创芯片ETF国泰近1年累计上涨49.85%。
半导体强势拉升，存储芯片概念反复活跃，消息面上，Wedbush分析师在周一发布的报告中表示，DRAM与NAND存储价格正快速上。
消息面上，三星电子Q1 DRAM价格涨幅从70%上调至100%。此外，佰维存储公告称，预计2026年1-2月实现营业收入40亿元至45亿元，同比增长340%至395%。
截至2026年2月27日 13:50，上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨1.27%，科创芯片设计ETF易方达(589030)上涨1.14%，盘中换手10.95%，成交5180.53万元，市场交投活跃。
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