科创芯片ETF博时（588990）涨1.60%，冲击8连涨，近1周涨12.33%；受国产存储巨头市值破千亿及AI驱动DRAM/NAND涨价催化。
消息面上，存储供需紧缺程度较高，英伟达推出存储机柜新增NAND需求，闪迪预计2027年这部分可能会额外带来大约75-100EB的增量。
消息面上，SK海力士宣布其首款基于321层QLC NAND闪存的固态硬盘PQC21本月起向戴尔出货，该技术突破或对芯片设计产业链产生积极影响。
消息面上，3月30日，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂完成关键工艺制程升级，第八代V-NAND正式实现量产。
半导体强势拉升，存储芯片概念反复活跃，消息面上，Wedbush分析师在周一发布的报告中表示，DRAM与NAND存储价格正快速上。
截至2026年2月27日 13:50，上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨1.27%，科创芯片设计ETF易方达(589030)上涨1.14%，盘中换手10.95%，成交5180.53万元，市场交投活跃。
人工智能产业链持续受资金关注，消息面上，SK海力士透露，目前其DRAM和NAND库存已降至仅约4周的“极低水位”，且预计将在全年继续下降 。
消息面上，存储涨价潮蔓延，多家厂商继续涨价，涨价潮正从存储芯片扩展至代工与封测环节。三星电子在今年第一季度将NAND闪存的供应价格上调了100%以上。
午后芯片产业链再度拉升，存储、封测方向领涨。消息面上，当地时间周一，美光科技宣布，位于新加坡现有NAND闪存制造园区内的先进晶圆制造厂正式破土动工。
截至2026年1月27日 10:35，中证半导体材料设备主题指数强势上涨1.93%，半导体设备ETF广发(560780)上涨1.56%，盘中最高涨超2%。成分股金海通上涨8.10%，康强电子上涨7.91%。
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