NAND
科创AIETF鹏华(589090)涨超3.5%，半导体芯片领涨市场
半导体芯片领涨市场，消息面上，SK集团会长崔泰源6月2日称，SK海力士计划五年内将晶圆产能翻番。此外存储厂商铠侠表示，超大规模数据中心正寻求签订涵盖2029年乃至更远期阶段的NAND合约。
科创芯片ETF鹏华(588920)涨超2.6%，日本 NAND 制造商铠侠公司业绩超预期
消息面上，日本 NAND 制造商铠侠公司（Kioxia）公布了其 2026 年Q1财报，其 2026 财年第四季度的利润率飙升至 66%，预计4 月季度的净利润将同比暴增 48 倍，达到 8690 亿日元。
半导体ETF鹏华(159813)开盘上涨9.2%，武汉官宣380亿美元存储扩产计划
息面上，武汉正式官宣380亿美元存储扩产计划，以长江存储和武汉新芯为核心布局3D NAND与DRAM。
国产存储三巨头市值均超千亿，芯片行业景气度持续验证，科创芯片ETF博时(588990)上涨1.60%，冲击8连涨
科创芯片ETF博时（588990）涨1.60%，冲击8连涨，近1周涨12.33%；受国产存储巨头市值破千亿及AI驱动DRAM/NAND涨价催化。
科创芯片设计ETF鹏华(589170)涨超2.3%，设备国产化率进入快速提升阶段
消息面上，存储供需紧缺程度较高，英伟达推出存储机柜新增NAND需求，闪迪预计2027年这部分可能会额外带来大约75-100EB的增量。
科创芯片设计ETF鹏华(589170)涨超4.4%，存储龙头官宣技术突破
消息面上，SK海力士宣布其首款基于321层QLC NAND闪存的固态硬盘PQC21本月起向戴尔出货，该技术突破或对芯片设计产业链产生积极影响。
科创半导体设备ETF鹏华(589020)涨超1.7%，三星西安晶圆厂制程升级正式量产
消息面上，3月30日，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂完成关键工艺制程升级，第八代V-NAND正式实现量产。
科创50增强ETF鹏华(588460)涨超1.7%，存储芯片概念反复活跃
半导体强势拉升，存储芯片概念反复活跃，消息面上，Wedbush分析师在周一发布的报告中表示，DRAM与NAND存储价格正快速上。
科创芯片设计ETF易方达(589030)交投活跃上涨1.14%，花旗集团上调对DRAM和NAND价格的预期
截至2026年2月27日 13:50，上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨1.27%，科创芯片设计ETF易方达(589030)上涨1.14%，盘中换手10.95%，成交5180.53万元，市场交投活跃。
人工智能产业链持续受资金关注，科创综指ETF鹏华(589680)日均成交1.34亿
人工智能产业链持续受资金关注，消息面上，SK海力士透露，目前其DRAM和NAND库存已降至仅约4周的“极低水位”，且预计将在全年继续下降 。
