【财华社讯】11月17日，三安光电(600703.SH)在互动平台表示，目前，湖南三安已拥有8吋碳化硅衬底产能1,000片/月、外延产能2,000片/月，8吋碳化硅芯片产线已通线。安意法已于2025年2月实现通线，首次建设产能2,000片/月；重庆三安首次建设产能2,000片/月，已开始逐步释放产能。
近期，刚于8月20日登陆港交所的全球碳化硅（SiC）衬底龙头——天岳先进（02631.HK）股价反复活跃，市场关注度与讨论度显著升温。
11月11日，号称“碳化硅第一股”的天岳先进（688234.SH）大涨6.21%，刚登陆港股不久的天岳先进（02631.HK）今日亦大涨9.31%。
10月14日，瀚天天成又一次向港交所递交招股书，仍计划在主板挂牌上市；由中金公司担任独家保荐人。据港交所资料显示，瀚天天成于4月份就曾向港交所递表，但以“失效”告终。
2025年10月14日，瀚天天成第2次向港交所递交招股书，拟在香港主板上市，独家保荐人为中金公司。
【财华社讯】英诺赛科(02577.HK)高开近15%，截止发稿，涨14.34%，报88.5港元。消息面上，该公司公布，英诺赛科正与NVIDIA合作，携手支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图的扩展提供保障。英诺赛科第三代氮化镓技术具备决定性优势，在800V输入侧，英诺赛科氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)相比在每个开关半周期內可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10%；在54V输出端，仅需16颗英诺赛科氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，不仅将功率密度提升一倍，还使驱动损耗降低90%；与现有机架架构中的硅MOSFET相比，800VDC的低压电源转换阶段采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积內实现功率输出提升40%，大幅提升功率密度。作为业內唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案。
【财华社讯】10月13日，立昂微(605358.SH)公告，立昂东芯6英寸碳化硅基氮化镓产品通过客户验证，预计将于今年四季度实现出货，
【财华社讯】赛晶科技(00580.HK)公布，9月12日，公司旗下子公司赛晶半导体与三安半导体签订战略合作框架协议，正式建立全面战略合作伙伴关系。目前，三安半导体的8英吋碳化硅芯片产线已通线。合作內容包括三安半导体根据赛晶半导体的需求，确保稳定及时的向赛晶半导体供应产品；赛晶半导体在三安半导体的生产计划中享有优先供应权。双方将共同评估市场增长潜力，制订产能扩展计划等。
【财华社讯】9月10日，云南锗业(002428.SZ)在互动平台表示，公司前期6英寸磷化铟晶片、碳化硅晶片研发项目已完成项目研究任务，但从研发到规模化生产尚存在较大不确定性。目前公司及子公司并无6英寸磷化铟晶片、碳化硅晶片量产的具体计划，如有相关计划，公司会按规定进行公开披露。
【财华社讯】9月8日，晶升股份(688478.SH)在互动平台表示，公司的碳化硅长晶设备已批量供应中国台湾地区及海外厂商。
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