NAND
日本9倍股「铠侠Kioxia」拟赴美上市，同步研究拆细股份
继韩国SK海力士宣布赴美上市计划后，日本NAND闪存巨头铠侠控股（Kioxia，东京交易所代码：285A）亦跟进布局全球资本市场。
2026-06-30 08:13
工业有色ETF鹏华(159162)涨超1.2%，供给刚性未改，PCB、六氟化钨打开钨需求曲线
有色钨概念盘中活跃，消息面上，六氟化钨是半导体金属化工艺无可替代的核心材料。在3D NAND闪存中，随着层数从128层向230层以上跃迁，垂直通道的钨插塞用量呈倍数增长。
2026-06-22 09:47
科创AIETF鹏华(589090)涨超3.5%，半导体芯片领涨市场
半导体芯片领涨市场，消息面上，SK集团会长崔泰源6月2日称，SK海力士计划五年内将晶圆产能翻番。此外存储厂商铠侠表示，超大规模数据中心正寻求签订涵盖2029年乃至更远期阶段的NAND合约。
2026-06-03 11:06
科创芯片ETF鹏华(588920)涨超2.6%，日本 NAND 制造商铠侠公司业绩超预期
消息面上，日本 NAND 制造商铠侠公司（Kioxia）公布了其 2026 年Q1财报，其 2026 财年第四季度的利润率飙升至 66%，预计4 月季度的净利润将同比暴增 48 倍，达到 8690 亿日元。
2026-05-18 10:18
半导体ETF鹏华(159813)开盘上涨9.2%，武汉官宣380亿美元存储扩产计划
息面上，武汉正式官宣380亿美元存储扩产计划，以长江存储和武汉新芯为核心布局3D NAND与DRAM。
2026-05-06 09:57
国产存储三巨头市值均超千亿，芯片行业景气度持续验证，科创芯片ETF博时(588990)上涨1.60%，冲击8连涨
科创芯片ETF博时（588990）涨1.60%，冲击8连涨，近1周涨12.33%；受国产存储巨头市值破千亿及AI驱动DRAM/NAND涨价催化。
2026-04-15 10:34
科创芯片设计ETF鹏华(589170)涨超2.3%，设备国产化率进入快速提升阶段
消息面上，存储供需紧缺程度较高，英伟达推出存储机柜新增NAND需求，闪迪预计2027年这部分可能会额外带来大约75-100EB的增量。
2026-04-10 11:28
科创芯片设计ETF鹏华(589170)涨超4.4%，存储龙头官宣技术突破
消息面上，SK海力士宣布其首款基于321层QLC NAND闪存的固态硬盘PQC21本月起向戴尔出货，该技术突破或对芯片设计产业链产生积极影响。
2026-04-08 10:48
科创半导体设备ETF鹏华(589020)涨超1.7%，三星西安晶圆厂制程升级正式量产
消息面上，3月30日，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂完成关键工艺制程升级，第八代V-NAND正式实现量产。
2026-04-01 11:25
科创50增强ETF鹏华(588460)涨超1.7%，存储芯片概念反复活跃
半导体强势拉升，存储芯片概念反复活跃，消息面上，Wedbush分析师在周一发布的报告中表示，DRAM与NAND存储价格正快速上。
2026-03-25 11:11
