【财华社讯】英诺赛科(02577.HK)高开近15%，截止发稿，涨14.34%，报88.5港元。消息面上，该公司公布，英诺赛科正与NVIDIA合作，携手支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图的扩展提供保障。英诺赛科第三代氮化镓技术具备决定性优势，在800V输入侧，英诺赛科氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)相比在每个开关半周期內可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10%；在54V输出端，仅需16颗英诺赛科氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，不仅将功率密度提升一倍，还使驱动损耗降低90%；与现有机架架构中的硅MOSFET相比，800VDC的低压电源转换阶段采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积內实现功率输出提升40%，大幅提升功率密度。作为业內唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案。
【财华社讯】8月21日，三安光电(600703.SH)在互动平台表示，湖南三安的主驱逆变器用SiC MOSFET已从1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ。
4月7日，据芯联集成微信号消息，3月29日，“蔚来&芯联集成合作伙伴大会暨蔚来自研SiC模块C样下线仪式”举行。蔚来自研SiC模块C样件的下线代表着双方的合作取得阶段成果。此次下线仪式的举办也标志着蔚来自研SiC模块成熟度进一步提升，更近一步接近量产。
9月25日，时代电气(688187.SH)在互动平台表示，中车电驱E4.0首款产品C-Power 280.基于自主SiC芯片开发，峰值功率280kW，峰值转矩5000 Nm, 峰值转速1620rpm，功率密度3.3kW/kg，处于行业领先水平。公司电驱产品在深蓝、哪吒、缤果等车型上均有供货。
7月18日，纳芯微(688052.SH)在互动平台表示，公司的SiC二极管采用MPS结构设计，与传统的结构相比，具有显着优势。公司的SiC二极管具有更低的正向导通电压，同时在面对瞬态高电流冲击时，具备更强的抗浪涌能力。除SiC二极管产品外，公司也在积极研发和验证1200V SiC MOSFET产品。公司的SiC MOSFET产品将经过全面的车规级验证，以确保符合汽车级应用的要求。
6月13日，燕东微(688172.SH)在互动平台表示，未来三年，公司将围绕核心战略，不断强化晶圆制造能力和技术创新能力的提升。一是持续优化产品结构，提升6英寸和8英寸线产能；二是加大SiC等第三代半导体的研发并实现量产；三是完成硅基光电子工艺平台、热成像传感器工艺平台、硅基微显示电路工艺平台的建设并实现量产；四是持续巩固和扩大特种市场占有率；五是加快建设12英寸线，2023年实现12英寸线的量产，2025年实现12英寸线满产。
5月8日，东微半导(688261.SH)在互动平台表示，公司已订购SiC器件制造和工艺实验相关的部分关键设备，加大SiC制造产业链的资本投入。同时在技术研发上，公司已布局包括沟槽柵SiC MOSFET器件结构等核心专利技术，双管齐下快速推进SiC MOSFET产业化。
8月10日，捷捷微电(300623.CN)在深交所互动易平台表示，公司暂无Chiplet技术应用到芯片封装上，这个技术主要是IC类产品2.5D/3D封装，为解决芯片制造中摩尔定律的极限限制而在芯片及封装端整合而生的SOC(system on package)/SIC(system in package)等封装产品形式。对于功率产品，公司也在致力于开发合封产品的技术及集成Mos和IC在同一产品里的封装技术。
国内碳化硅（SiC）有了新的突破。7月22日早盘，号称“碳化硅第一股”天岳先进（688234.SH）出现了短暂的高开低走的行情。但好在经过一番多空博弈之后，多头成功占领高地，公司股价也成功封板，收获“20cm”涨停。
碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，当前碳化硅衬底已应用于射频器件及功率器件，随着下游需求爆发，2022-2026年SiC器件的市场规模将从43亿美元提升到89亿美元，複合增长率为20%，对应的SIC衬底市场规模讲从7亿美元增长到17亿美元，複合增长率为25%。
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