SiC
【IPO追踪】获欣旺达等基石支持，琻捷电子（06675.HK）上市暴涨
近期又有多只新股在登陆港股后录得显著上涨，包括溜溜梅（06658.HK）、天辰生物-B（01779.HK）等。
AI算力需求爆发，驱动碳化硅产业景气上行，科创新材料ETF博时(588010)涨超1%
科创新材料ETF博时（588010）涨1.03%，跟踪科创板新材料指数（000689）；AI算力爆发驱动碳化硅（SiC）需求激增，2030年市场或达2000-3000亿元。
每日新闻0527-半导体ETF鹏华（159813）逆市获净申购达1.1亿份，SiC-SST-HDVC技术路线催化半导体行情
1.NASA公布月球基地三阶段建设路线图，26日选定蓝色起源等企业启动项目。FLY航天器中标月球无人机运送任务，计划2028年发射。
科创芯片设计ETF鹏华(589170)涨超2.2%，英伟达力推800V架构
碳化硅、rubin持续活跃，消息面上，英伟达力推800V架构，SiC（碳化硅）从“可选”变“必选”；此外SiC还有望替代Rubin封装中的Interposer，打开第二增长曲线。
科创综指ETF鹏华(589680)连续4天净流入，六氟化钨和碳化硅逆市活跃
六氟化钨和碳化硅逆市活跃，消息面上，Citrini发布AI供应链报告，明确将SiC列为AI领域被严重忽略的核心主线。
【IPO追踪】天岳先进（02631.HK）股价急升 短期脉冲还是趋势反转？
近期，全球碳化硅（SiC）衬底龙头——天岳先进（02631.HK）股价反复活跃，市场关注度与讨论度显著升温。
【IPO前哨】博士天团创业，博世闻泰押注！碳化硅龙头IPO冲刺港股
在新能源汽车、可再生能源等行业的强势拉动下，碳化硅（SiC）功率器件赛道迎来爆发期。
AI芯片引爆碳化硅，天岳先进港股表现亮眼，未来可期？
近期，刚于8月20日登陆港交所的全球碳化硅（SiC）衬底龙头——天岳先进（02631.HK）股价反复活跃，市场关注度与讨论度显著升温。
英诺赛科(02577.HK)涨超14% 与NVIDIA合作为800 VDC电源架构提供全GaN电源解决方案
【财华社讯】英诺赛科(02577.HK)高开近15%，截止发稿，涨14.34%，报88.5港元。消息面上，该公司公布，英诺赛科正与NVIDIA合作，携手支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图的扩展提供保障。英诺赛科第三代氮化镓技术具备决定性优势，在800V输入侧，英诺赛科氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)相比在每个开关半周期內可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10%；在54V输出端，仅需16颗英诺赛科氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，不仅将功率密度提升一倍，还使驱动损耗降低90%；与现有机架架构中的硅MOSFET相比，800VDC的低压电源转换阶段采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积內实现功率输出提升40%，大幅提升功率密度。作为业內唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案。
三安光电：湖南三安主驱逆变器用SiC MOSFET已迭代到1200V 13mΩ
【财华社讯】8月21日，三安光电(600703.SH)在互动平台表示，湖南三安的主驱逆变器用SiC MOSFET已从1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ。
