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近期，赛晶科技（0580.HK）正式推出1700V IGBT芯片，该芯片采用精细沟槽栅-场终止型结构，并通过N型增强层、窄台面、短沟道、超薄基底、优化P+、先进3D结构等多项优化设计，进一步改善IGBT导通饱和压降和开关损耗折中性能，同时大大增加了电流可控性和短路稳健性。
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