在前两篇中，我们厘清了光芯片的算力价值、技术迭代逻辑，以及从晶圆材料、外延工艺到IDM制造的全链条产业壁垒。

整体来看，光芯片行业呈现出清晰的梯队化格局：中低端产品工艺成熟、市场充分竞争，而适配AI超高算力的高端高速光芯片，凭借体系化的技术壁垒形成高门槛、高集中度的供给格局。

持续爆发的AI算力需求，不断抬升高端光芯片的战略价值，也改写了行业的竞争逻辑。以往单纯依靠模块组装的发展模式已触达增长天花板，产业链向上游芯片自研延伸，成为行业头部厂商的必然选择。

在AI算力持续扩容、高端光芯缺口长期存在的背景下，行业企业的成长重心与布局方向随之发生迁移。本篇将系统梳理光芯片领域的核心产业玩家梯队，聚焦港股核心上市及拟上市企业，并深入剖析头部光模块厂商向上自研光芯片的战略动因，以及在这场“向芯突围”的硬仗中，国产产业正面临的现实困境与破局之道。

全球光芯格局：高端寡头垄断，中端梯队追赶

从全球光芯片产业的竞争格局来看，目前海外企业把控高端核心，而国内企业则稳步分层追赶。

在AI算力刚需的100G、200G高速EML有源光芯片赛道，全球市场高度集中，海外头部寡头占据绝对主导地位，牢牢掌控全球高端算力光芯的供给命脉。

其中美国Lumentum（LITE.US）是全球高速EML光芯片的头部供应商，更是英伟达（NVDA.US）AI服务器的核心芯片供货商，深度绑定全球顶级算力供应链；日本住友电工同时把控高端磷化铟（InP）衬底原材料与高端光芯片制造两大核心环节，掌握上游最稀缺的产能资源。此外，美国Coherent（COHR.US）、三菱电机、博通（AVGO.US）等国际巨头，瓜分剩余的高端市场份额，形成相对稳固的海外寡头壁垒。

伴随AI算力爆发式增长，全球高端光芯片产能持续紧缺，英伟达等头部算力巨头已通过预付款和长期采购协议，提前锁定海外主流高端光芯片数年的核心产能，这意味着当前光芯股的狂飙多少已反映了未来几年的潜在强劲增长。

据调研机构LightCounting，行业供应链已处于满负荷运转状态。在最近的巴黎RAISE峰会上，Lumentum首席执行官就预警：AI基础设施的下一个瓶颈将是磷化铟（InP），这比当前内存行业面临的供求缺口更为严峻。他提到，仅凭当前行内两大巨头Lumentum和Coherent根本无力满足英伟达和其他客户的需求，供需失衡可能超过30%——这比他年初时的预期要大。

磷化铟（InP）是一种能发光的化合物半导体，我们在产业壁垒篇中就提到，磷化铟（InP）是支撑AI高速算力光模块的核心材料，也是100G、200G高速EML激光器的主流基材，AI数据中心的光模块内的每一颗激光器、每一颗为光放大器供电的泵浦激光器，以及每一颗GPU旁的共封装光（CPO）引擎都离不开它。

这一局面也直接导致国内光模块厂商长期处于被动局面，时常面临高端芯片缺货、价格上涨、交付延期等问题，供应链稳定性难以保障，成为制约国内高端算力硬件产业发展的核心瓶颈。

事实上，英伟达分别向Lumentum和Coherent投入20亿美元，以助力两家供应商的研发和产能。

今年3月时，Lumentum宣布在美国北卡罗来纳州购自半导体芯片制造商Qorvo的工厂，生产磷化铟（InP）基光器件，服务英伟达的订单，以大幅扩张其6英寸磷化铟晶圆的产能，不过预计要到2028年中才能启动量产爬坡。

Coherent也有望在2026年底前将内部磷化铟产能翻倍，并在2027年再翻一番以上。

衬底环节的代表企业AXT（AXTI.US）近日也完成了6.325亿美元的融资，用于扩充旗下的磷化铟产能。

尽管这些头部供应商都在扩产，但却不能立刻解决供应瓶颈问题，而且它们优先保障的都是北美大客户的合约，未必能立即满足国内光模块厂商的需求，加上贸易限制的潜在风险，估计这也是前期大幅攀升的光模块厂商近日回调的其中一个重要原因。

国内玩家全景梯队：港股成核心突围阵地

相较于海外成熟寡头的全链条优势，国内光芯片产业呈现出明显的梯队化发展特征，企业布局各有侧重、技术能力差异显著。其中港股市场汇聚了一批特色差异化企业，同时众多A股龙头加速冲刺A+H上市，借力海外资本与全球渠道，冲刺高端光芯赛道，成为国产替代的核心主力。

1）港股已上市核心标的：差异化布局，各守细分赛道

曦智科技（01879.HK）作为港股首家光子计算上市企业，走出了一条区别于传统光芯片厂商的差异化路线。企业不深耕传统激光发射光芯片，核心聚焦光电混合算力，构建光互连与光计算双轮驱动业务体系。其光互连产品主要部署于AI数据中心，用于构建高性能GPU超节点。

有意思的是，曦智科技今年4月28日在港交所上市，发售价为183.20港元，上市当日高开380.35%，随后几日一度飙升至1,050.00港元的高位，但现在已回落至273.00港元，虽未跌破发售价，但不到四个月回撤74%还是颇耐人寻味。

我们认为，股价下跌的原因固然有业绩未见好转、估值过高回调有关，但更主要的原因可能是：该公司在国内独立Scale-up光互连市场——通常为硅光集成芯片与外置连续激光源（CW）结合，占据88.3%的市场份额，具备先发卡位优势，但Scale-up为短距光互连，不属于当前AI算力最紧缺的EML高速发射光芯片赛道。而曦智科技尽管在Scale-up光互连市场占据主导，但该细分赛道整体营收规模仍较小，距大规模放量或仍有距离，而国内外也有众多巨头在同台竞争，商业化节奏存在较大的不确定性。

另一方面，曦智科技的核心叙事光子计算芯片——用光直接完成AI大模型计算，理论功耗远低于GPU，在当前全球光计算市场规模整体偏小，虽然该公司已推出PACE系列产品并与阶跃星辰、DeepSeek等大模型厂商合作，但仍属于早期商业化阶段，短期贡献或微不足道。且华为、英伟达等大厂均在自研光计算或光互连架构，一旦主流大厂选定其他方案，曦智科技的技术路线可能会被替代。

此外，近来港股AI、光芯片板块整体行情退潮，大环境拖累全线下调估值也拖累了其表现。

区别于行业主流外购芯片、聚焦后端封装的模式，海光芯正（01191.HK）践行全栈硅光一体化发展路径：公司从底层硅光PDK工艺套件自主研发起步，完整打通硅光芯片架构设计、晶圆测试、晶圆封装耦合、高速光模块量产全链条；自研硅光芯片单片集成无源光波导、硅光调制器、光电探测器等核心光学元器件；依托自研“Wafer-In, Module-Out”一体化生产平台，硅光晶圆进厂后的切割、制程、封装、整机光学电学测试全部内部完成，形成闭环制造能力。

但是，当下AI算力主力需求仍是跨机架800G/1.6T可插拔光模块，最优方案是磷化铟EML+DSP传统架构，海光芯正深耕的Scale-up机柜内部短距硅光互联属于前沿技术，短期订单体量有限，且其自研全链条拉高了短期成本，客户集中度高而无法进入北美顶级云厂商供应链，加之其6月上市时正值光互连狂飙的时期，当下行情转弱导致其现价已跌破上市时的发行价。

长飞光纤光缆（06869.HK）作为A+H上市的全球光纤光缆龙头，光纤预制棒及高端干线光纤传输技术长期保持全球领先地位，该公司也依托子公司推出AOC有源光缆、高速数通互联产品，顺利切入海内外高端AI数据中心供应链。其作为A股上市公司长芯博创（300548.SZ）第一大股东，后者少量布局无源光芯片、低速光芯片。

剑桥科技（06166.HK）在高速算力光模块领域竞争力突出，公司战略深度绑定参股企业南京镭芯光电，其CW-DFB连续光芯片已实现规模化量产，可满足硅光架构外置光源需求，但面向超高速算力场景的EML调制激光器芯片尚处于研发送样阶段，尚未落地批量生产，整体高端光芯片自给率仍具备较大提升空间。

A+H同步上市的中兴通讯（00763.HK）光芯片整体布局以内部设备配套为主：自研光芯片覆盖光纤接入、骨干光传输两大场景，在长距光传输领域已实现100G/400G/800G相干光模块及相干DSP芯片全栈自研量产；其中接入侧PON芯片兼顾自用与对外销售，高端相干DSP、相干光芯片主要供给自家基站、光传输设备、电信交换机生产，仅少量对外供货。值得留意的是，该公司旗下中兴光电子专注智算中心高速互联场景光器件与光芯片研发，高端光互连布局取得实质性进展。

2）港股递表拟上市优质标的：高端突破，冲刺全球供应链

源杰科技（688498.SH）是国内纯正高速有源EML芯片绝对龙头，也是国产高端光芯突围的核心标杆。公司100G EML已完成客户验证并实现批量出货，批量供货国内各大主流光模块厂商；200G EML芯片已进入英伟达等海外顶级客户验证阶段，或在2026年底量产。同时，其CPO架构必备的CW连续光源国产出货量位居行业首位，深度卡位下一代光电集成赛道。该公司已递表港交所，拟募资用于200G高端光芯片产能扩建，助力企业打通海外算力供应链，加速高端国产替代进程。

同样已经向港交所递表的还有纳真科技和A股上市的联特科技（301205.SZ），均为国内头部AI光模块厂商，依托光模块主业形成稳定现金流，为上游芯片研发提供持续资金支撑。两家企业均重点布局高速EML激光器、硅光集成芯片等核心产品，依托模块业务积累的客户资源与工艺经验，向产业链上游延伸。

已经递表港交所的A股上市公司东山精密（002384.SZ）通过收购海外索尔思光电成熟磷化铟IDM资产，快速补齐高端光芯片产能，成为国内少数可量产200G高端EML芯片并通过头部云厂商认证的企业，自研芯片优先配套自有光模块业务，实现产业链协同。

华工科技（000988.SZ）也递表港股，其参股公司云岭光电作为光芯片平台，布局磷化铟有源芯片，25G DFB/EML已实现量产，面向AI算力场景的100G、200G EML持续迭代，并依托华工正源布局CW光源、硅光芯片研发，但现阶段高端高速芯片仍为外购补充。

国产光芯突围的壁垒与机遇

通过梳理全球格局与国内梯队不难发现，国产光芯片产业已实现中低端赛道的全面自主可控，在高端赛道完成技术攻坚与样品突破，但距离规模化替代、全球化供货仍存在多重结构性壁垒。

目前国产光芯突围的主要壁垒或包括：

1）核心材料与产能被海外锁定，供需话语权缺失。磷化铟衬底、外延晶圆是高速EML光芯片的核心基石，目前全球高端磷化铟产能、6英寸及以上晶圆制造能力高度集中于以上我们提到的日美海外巨头。且海外头部厂商已通过提前扩产、绑定北美顶级算力客户、长期锁单等方式，垄断未来2-3年的高端核心产能。国内企业不仅面临原材料采购价格溢价、交付周期不稳定的问题，更难以获取优质产能配额，即便完成芯片研发，也难以实现规模化量产。

2）底层工艺与工具链存在代差，良率短板凸显。高端100G/200G EML芯片对晶圆外延精度、刻蚀工艺、封装耦合精度要求极高，海外寡头经过数十年技术积累，已形成成熟的PDK工艺套件、标准化生产流程与超高量产良率。而国内企业底层工艺积累薄弱，自主PDK体系尚未完全成熟，部分核心生产设备、检测仪器仍依赖进口，导致高端芯片量产良率偏低、生产成本居高不下。相较于海外成熟厂商的规模化成本优势，国产芯片短期性价比不足，难以快速切入高端供应链。

3）高端客户认证壁垒极高，全球化突破艰难。AI数据中心、海外云厂商对高速光芯片的稳定性、可靠性、一致性有着极致要求，高端光芯片的客户认证周期普遍长达1-2年，且认证门槛逐年提升。目前国内多数企业仅实现国内中小客户批量供货，极少通过英伟达、Meta（META.US）、亚马逊（AMZN.US）等全球顶级算力客户认证。同时，海外巨头长期形成的供应链生态壁垒，进一步阻碍国产芯片出海，导致国产高端产品只能局限于国内小众市场，难以打开增量空间。

4）技术路线多元迭代，研发容错成本高昂。当前行业处于传统可插拔光模块、NPO近封装光学、CPO共封装光学多路线并行迭代的关键阶段，硅光集成、薄膜铌酸锂、磷化铟分立芯片等技术路线各有优劣。头部海外企业全面布局多赛道，对冲迭代风险，而国内企业资金、研发资源有限，若单一押注某一技术路线，极易面临技术迭代淘汰风险；多路线布局又会分散研发精力，延缓突破节奏，商业化容错压力极大。

5）产业协同不足，上下游碎片化发展。国内光芯片产业链存在明显的割裂问题：上游衬底材料、外延工艺企业与中游芯片设计、制造厂商联动不足，下游光模块企业、设备厂商与上游芯片研发适配滞后。多数模块厂商仍习惯海外芯片采购模式，对国产芯片的适配、验证、导入积极性不足，或导致国产芯片缺乏规模化应用场景，技术迭代、良率优化缺少数据支撑。

但与此同时，国产光芯片或正迎来宝贵的替代窗口，因为：

1）海外供给持续紧缺。正如我们前文提到，当前EML供需缺口显著，海外头部厂商虽持续扩产，但磷化铟产线建设、产能爬坡周期漫长，Lumentum、Coherent新增产能集中在2027–2028年释放，短期供需错配格局无法逆转。同时海外产能优先保障北美顶级算力客户订单，国内厂商长期处于供货优先级末端，缺货、涨价、延期问题常态化，倒逼下游产业链加速导入国产替代方案。

2）国产技术实现群体性突破，产品落地提速。国内厂商已在关键赛道形成差异化突破，CW连续光源领域工艺成熟、良率可控，成为国产替代核心突破口，源杰科技、东山精密等头部企业出货量稳居国内前列。在高端EML核心赛道，国产技术迭代持续提速，多家厂商实现100G EML稳定量产与批量供货，200G EML芯片陆续完成送样与头部客户验证，逐步打破海外高端产品独家垄断格局。

3）硅光技术路线迭代，带来结构性弯道机会。有行业报告预测，2026年基于硅光架构的光模块销售额将首次占据全球市场50%以上份额，成为算力光模块主流方案。硅光架构不再依赖传统高速EML芯片，转而采用CW外置光源+硅基调制器的组合方案，将技术难点从激光器外延制造转移至调制器设计与光耦合封装。对国内产业而言，这是一条可以部分复用CMOS成熟产能的差异化路径，或有效规避了国产磷化铟EML的短期短板，为国产光芯规模化放量、快速抢占中高端市场提供了绝佳的时代机遇。

结语

站在AI算力高速扩张的时代节点，全球光芯片产业正处在供需失衡、技术路线交替、供应链格局重塑的交叉路口。海外寡头依托磷化铟全链条产能积淀、成熟工艺体系与长期锁定的全球顶级算力客户，牢牢守住高端高速EML芯片的护城河，短期供给紧张的局面难以根本性缓解，也持续放大国内算力产业链上游“卡供给”的现实压力。

放眼国内市场，国产光芯片已经走完中低端产品自主化的起步阶段，不同厂商依托自身禀赋选择发展路径：有的深耕磷化铟有源芯片攻坚主流算力赛道，有的押注硅光集成布局短距光互连与下一代光电集成方案，光产业链细分赛道运营商及龙头将业务延伸至自研芯片的浪潮愈演愈烈。但客观而言，国产高端光芯迈向全球化大规模替代依旧道阻且长，核心材料产能约束、工艺良率差距、漫长的客户认证周期、产业链协同短板与多路线研发压力，构成横亘在前的多重考验。

危机之中亦蕴藏难得的时间窗口。海外新增磷化铟产能释放节奏滞后于算力需求增速，下游企业供应链自主化诉求持续提升；国内100G EML顺利量产、200G EML逐步进入验证周期，CW光源实现规模化出货；加之硅光方案兴起带来赛道结构性变革，为国内厂商开辟出新的竞争赛道。

长远来看，这场“向芯突围”不会是一蹴而就的短期竞赛，而是一场贯穿材料、外延、制造、封装、下游验证的长期系统性攻坚战。单一企业的技术突破不足以完成产业跃迁，唯有推动上下游深度协同，持续打磨工艺、稳定良率、打通海内外客户认证通道，国产光芯片才能抓住本轮AI算力红利。未来谁能够持续夯实自研能力、匹配下游算力硬件迭代需求、构建稳定可控的产能体系，谁便有望在全球光芯片新一轮格局洗牌中站稳脚跟，真正实现从赛道追赶者走向核心参与者的身份跨越。