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SK海力士考虑合资建设存储芯片工厂,科创芯片设计ETF天弘(589070)标的指数上一交易日收涨1.15%

日期: 2026-08-17 09:12
作者: 有连云

截至2026年8月14日收盘,科创芯片设计ETF天弘(589070)跟踪的上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨1.15%,成分股联芸科技上涨11.26%,普冉股份上涨7.20%,杰华特上涨5.33%,纳芯微,思瑞浦等个股跟涨。

截至8月14日,科创芯片设计ETF天弘(589070)近1周规模增长2824.01万元,近3月份额增长14.46亿份,实现显著增长。

资金流入方面,科创芯片设计ETF天弘(589070)近5个交易日合计“吸金”4130.17万元。

【产品亮点】

科创芯片设计ETF天弘(589070)精准聚焦于上证科创板芯片设计主题指数,专门投资于科创板中技术壁垒最高、创新属性最强的芯片设计公司。其权重股均为科创板硬核科技代表,包括:澜起科技(内存接口芯片全球龙头)、海光信息、寒武纪、芯原股份(芯片设计平台龙头)、佰维存储(存储芯片设计)等。

【相关产品】

科创芯片设计ETF天弘(589070),对应场外联接(A:027574;C:027575)。

【热点事件】

AI需求引爆存储“资源争夺战”,SK海力士拟合资建厂降低扩张风险

在全球存储芯片供应持续紧张的背景下,SK海力士正积极谋划产能扩张新路径。SK集团会长崔泰源近日表示,公司正考虑以合资方式建设新的存储芯片工厂,以降低在行业盛衰周期下巨额资本开支和产能过剩带来的风险。崔泰源同时警告称,存储芯片供应紧张局面将在2027年进一步加剧。

这一考虑的背景是AI需求爆发引发的存储芯片“资源争夺战”——崔泰源透露,目前所有客户都要求将明年采购量几乎翻倍,但供给完全跟不上需求。为满足激增的AI存储需求,SK海力士正全力扩产,计划在5年内将产能翻倍,并推进全球规模最大的存储器工厂建设,斥资7200亿美元力争在2034年将产能提高3倍。

在具体落地上,公司近期已重启停滞四年的大连NAND闪存工厂二期建设,将当地产能扩大约50%,计划明年上半年投产;同时在韩国本土推进龙仁和清州两大新晶圆厂建设。

【机构观点】

存储与逻辑双轮驱动下,全球晶圆厂资本开支持续加码。招商证券指出,2026年全球半导体制造设备支出预计达1659亿美元,同比增长23.2%,其中DRAM与NAND设备投资分别增长29%与28%;三星、美光、SK海力士等原厂大幅上调资本开支,重点投向HBM、DDR5及高层数NAND产能建设;逻辑端方面,台积电将约70%-80%资本开支用于先进制程,中芯国际、华虹等亦持续推进产能爬坡,国内先进及成熟制程扩产趋势明确,设备材料环节有望迎来规模化放量。

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内容来源:有连云

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