近日，韩国某存储芯片巨头公布下一代存储技术路线图：新一代高带宽内存（HBM5）计划采用2纳米制程基础芯片，提供12层、16层和20层DRAM堆叠方案，目标性能达到上一代产品的2倍，单瓦性能提升20%、热阻降低20%，预计2028年前后量产；同时，采用存储芯片直接堆叠于处理器上方新架构的zHBM，目标性能达到上一代的8倍，预计2029年后推出。

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内容来源：有连云