近期，港股市场的半导体行情出现连续回调，中芯国际（00981.HK）、华虹半导体（01347.HK）、英诺赛科（02577.HK）等多只概念股也跟随下跌。
10月14日，英诺赛科（02577.HK）股价迎来强势拉升，盘初一度涨逾18.6%，截至发稿前涨幅收窄至7.24%，报83港元/股，年初至今累计涨幅超过165.6%。
【财华社讯】英诺赛科(02577.HK)高开近15%，截止发稿，涨14.34%，报88.5港元。消息面上，该公司公布，英诺赛科正与NVIDIA合作，携手支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图的扩展提供保障。英诺赛科第三代氮化镓技术具备决定性优势，在800V输入侧，英诺赛科氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)相比在每个开关半周期內可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10%；在54V输出端，仅需16颗英诺赛科氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，不仅将功率密度提升一倍，还使驱动损耗降低90%；与现有机架架构中的硅MOSFET相比，800VDC的低压电源转换阶段采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积內实现功率输出提升40%，大幅提升功率密度。作为业內唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案。
【财华社讯】英诺赛科(02577.HK)公布，公司拟配售2070万股新H股，占经配发及发行配售股份扩大后的H股及已发行股份总数的约3.94%及约2.26%。配售价每股H股75.58港元，较于最后交易日及釐定配售价日期于联交所所报收市价每股H股82.05港元折让约7.88%。假设所有配售股份均获悉数配售，预计配售所得款项净额(经扣除佣金及估计开支后)约15.5亿港元。公司拟将所得款项约31%的资金用于产能扩充及产品持续迭代升级。约24%的资金用于偿还有息负债。约45%的资金用作营运资金及一般公司用途。
今年以来，港股市场持续上扬，恒生指数累涨近32%，恒生科技指数累涨逾36%。
截至2025年9月5日 13:12，港股通科技ETF嘉实(520670)上涨1.52%；成分股方面，英诺赛科涨超5%，中芯国际涨近4%，华虹半导体、迈富时等跟涨。
7月份以来，港、A两市的半导体概念表现亮眼，英诺赛科（02577.HK）、硬蛋创新（00400.HK）、东芯股份（688110.SH）、寒武纪-U（688256.SH）、源杰科技（688498.SH）等股迎来疯涨。其中，有着“寒王”之称的寒武纪在将近两个月的时间内飙升逾125%，股价连创新高，直接涨破千元大关，成为仅次于贵州茅台（600519.SH）的另一只千元股。
8月22日，港、A两市的半导体概念迎来集体暴动。港股方面，华虹半导体（01347.HK）放量飙升17.85%，晶门半导体（02878.HK）、中芯国际（00981.HK）涨逾10%，英诺赛科（02577.HK）、上海复旦（01385.HK）也都涨逾6%。
截至8月22日 11:23，港股通科技ETF(159262)上涨2.24%；华虹半导体涨超11%，中兴通讯涨超7%，英诺赛科、东方甄选等跟涨。跟踪指数前十大权重股合计占比73.3%，权重股中芯国际6.29%领涨。
【财华社讯】8月8日，京泉华(002885.SZ)在互动平台表示，关于与英诺赛科的合作情况，目前公司采购英诺赛科的氮化镓(GaN)器件，并将其应用于充电器、适配器产品中。
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