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三安光电:湖南三安主驱逆变器用SiC MOSFET已迭代到1200V 13mΩ

日期: 2025-08-21 15:44

【财华社讯】8月21日,三安光电(600703.SH)在互动平台表示,湖南三安的主驱逆变器用SiC MOSFET已从1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ。

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