费城半导体指数大涨近6%。英伟达 CEO 黄仁勋称迈威尔科技有望成为下一家万亿市值企业，迈威尔科技暴涨超32%，科技主线王者归来！ 6月2日，创业板指大涨2.66%，科创50反弹1.62%，半导体ETF国联安（512480）标的指数中证全指半导体产品与设备指数和科创芯片设计ETF国联安（588780）标的指数科创芯片设计指数分别收涨1.64%、1.58%。

消息面上，6月2日，以“AI Together”为主题，为期四天的2026台北国际电脑展（COMPUTEX 2026）于台北盛大开幕。1500家海内外企业参展、6000个展位，亚洲最大科技展又一次刷新了自己的规模纪录。本届展会聚焦AI运算、机器人&智慧移动、次世代科技三大主题，亮点纷呈。

【英伟达与英特尔跨界竞争，半导体格局剧变】

据了解，6月1日，英伟达公布面向Windows系统个人电脑的全新超级芯片RTX Spark——宣告正式进军个人电脑核心处理器市场，直接挑战英特尔与AMD长期把持的行业格局。该芯片采用NVIDIA Blackwell RTX GPU，拥有6144个CUDA核心和第五代Tensor Core。这款芯片由英伟达联合联发科设计，采用台积电3纳米先进制程，内部集成Blackwell RTX GPU与20核心Grace CPU，可适配基于微软Arm架构Windows操作系统。RTX Spark图形处理能力对标RTX 5070移动GPU，CPU性能据称达到Windows平台顶级水准，足以与市面主流竞品同台竞技。按照规划，从今年秋季开始，戴尔、联想、华硕等全球主流PC厂商，将陆续推出搭载RTX Spark芯片的笔记本与台式机产品。

就在英伟达发布PC芯片之时，英特尔同步释放重磅产品与规划。当日，英特尔正式推出全新至强6+处理器，这也是英特尔首款采用Intel 18A制程开发的数据中心CPU，主要针对云原生、智能体AI以及网络密集型工作负载优化，在性能密度、能效表现与运营扩展性上实现升级。此外，英特尔还披露了明确的AI芯片布局规划。其计划在2026年年底前推出名为“Crescent Island”的全新AI芯片，聚焦AI推理任务加速，试图避开英伟达占据绝对主导的模型训练赛道，实现差异化竞争。

两大巨头的跨界交锋或将加速PC产业向AI原生计算转型，并引发全球芯片产业链的深度变革。一方面，PC芯片市场将告别英特尔、AMD双强垄断格局，Arm架构芯片借助AI东风加速渗透，x86与Arm架构的市场博弈将愈发激烈，终端厂商拥有更多芯片选择，也可推动AI PC产品加速普及。另一方面，英特尔凭借制程优势、生态积淀与成本控制能力，有望分流AI算力、高端推理市场份额，利好云服务商与企业用户降低算力采购成本。与此同时，巨头跨界竞争也将带动产业链上下游协同升级，从制程工艺、芯片架构到整机制造、AI软件开发，整个产业或将迎来新一轮创新周期。

【HBM散热技术升级，存储芯片仍维持供不应求】

三星电子在Computex 2026电脑展上首次展示了第八代高带宽存储芯片HBM5，并首次公开推出了HPB（Heat Pass Block，导热块）散热方案。，三星电子计划使用其自主研发的2nm工艺制造的芯片生产HBM5，预计将在2028年左右实现量产。HPB将是大规模应用于其中的核心热管理技术，具体而言，是一种集成在芯片封装内的金属导热结构，通常由铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF或EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍。（资料来源：科创板日报、朝鲜日报，2026.6.2）

AI基础设施散热需求正盛，多种热管理技术在存储领域相继涌现。此前，SK海力士于5月26日推出了iHBM解决方案，通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE”，以降低产品运行时的发热量。该技术同样将应用于HBM5等下一代产品。SK海力士表示：“该技术与客户现有SiP系统级封装环境具备高度设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动，即可直接部署。”

在散热技术集体升级的预期下，HBM或仍维持供不应求局面。根据TrendForce集邦咨询最新研究指出，三大原厂的HBM年度议价机制，导致HBM合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入2Q26，买卖双方正在对2027年的主流产品HBM4供应进行谈判。TrendForce集邦咨询认为，基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本，三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价。

高盛5月31日发布研究观点预计，到2027年，传统DRAM、NAND和HBM的供需状况都将较2026年更为紧张，且这种紧张态势将持续至2028年，这将有助于存储器企业在未来数年内实现更高的盈利水平。该机构认为市场尚未充分认识到当前存储器行业上行周期的持久性，大多数存储器股票的市盈率仍低至中个位数水平便是明证。基于对行业供需趋紧的判断，高盛上调了对存储芯片制造商DRAM、NAND及HBM产品的定价预期。预计三星电子的传统DRAM平均销售价格在2026财年和2027财年将分别同比增长326%和27%，NANDASP则分别增长283%和33%。

摩根大通也在最新研究报告中大幅上调全球存储市场规模预测，并维持对该板块的多年期看多立场，认为存储芯片正从传统的周期性大宗商品向AI基础设施的战略核心资产转型。摩根大通将2026至2028年全球存储市场总规模（TAM）预测较3月模型上调37%至53%，预计2028年TAM将达1.7万亿美元。其中，DRAM市场收入预计从2025年的1430亿美元跃升至2026年的6360亿美元，再于2028年达到1.237万亿美元；NAND市场收入同期预计从710亿美元增至4545亿美元；预计供需缺口将在2027年进一步扩大，理论上为DRAM及NAND价格提供额外上行空间，但长期协议（LTA）合同销售占比的提升将令价格走势趋于稳定。

【科技主线分化加大，高景气遇上高拥挤，应该怎么投？】

近日，以芯片为代表的科技主线高位震荡，资金分歧加大。AI主线还能延续吗？

东吴证券指出，AI高景气产业趋势并未终结，后续科技赛道仍是主线，行情将逐步进入缩圈交易、聚焦核心的阶段，市场资金将逐步抛弃纯题材炒作标的，集中布局有真实业绩兑现、高景气预期明确的核心品种，结构性行情仍将延续。（资料来源：东吴证券，2026.5.30）

开源证券也指出，不是成长退潮，而是科技成长内部的审美升级。后市节奏上，先消化拥挤，再交易催化，事件后回归DDM。长鑫、长存这类巨型IPO催化，可能成为重要时间催化，更像2025年9月的“阅兵交易”，不是“吸血逻辑”。科技成长仍是当前核心主线，但科技成长内部的审美升级，市场需要重新筛选真正能够承接估值和盈利的资产，重点关注国产算力。算力主线没有结束，但内部要更加重视国产算力，核心是产业趋势、国产替代和订单斜率改善共振。（资料来源：开源证券，2026.5.31）

兴业证券认为，随着6-7月国内外科技领域重要会议和产业进展集中落地、上市公司新一轮业绩和需求指引相继释放，全球共振的亮点和焦点仍在科技。放眼本轮大周期而言，无论是从渗透率、行情演进节奏还是估值来看，本轮全球共振的AI超级周期仍在半途。短期拥挤度引发的休整无需过度担忧，景气和产业趋势的持续验证，才是行情延续的关键。（资料来源：兴业证券，2026.6.1.）

波动不改长牛底色，布局良机或在当下。短期震荡与阶段性调整，是科技成长板块的常态，这一轮AI的发展空间很有可能超过大多数人的预期，保持在场，或是更佳的投资方式。在AI主线逻辑依旧坚挺的背景下，对于投资者而言，每一次“深蹲”或许都是难得的入场时机。

对于追求稳健的投资者，不妨关注半导体ETF国联安（512480），全面覆盖半导体产业链上中下游86家优质企业，涵盖芯片设计、制造、封测以及设备材料等关键环节，兼具成长性与代表性，能够有效分散单一赛道风险。

而对于追求弹性和锐度的投资者，科创芯片设计ETF国联安（588780）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，聚焦于芯片设计环节，成分股全部来自科创板上市公司，覆盖数字与模拟芯片设计领域。汇聚了AI算力、HBM内存等核心赛道，单日涨跌幅限制达20%，能够在科技行情中展现出较强的市场弹性。

费率备注：投资者申购或赎回科创芯片设计ETF国联安、半导体ETF国联安的基金份额时，申购或赎回费率将按照不超过0.5%的标准收取费用，其中包含证券交易所、登记结算机构等收取的相关费用。敬请投资者阅读更新的《招募说明书》及销售机构相关公告了解详细情况。

产品风险等级：科创芯片设计ETF国联安、半导体ETF国联安，风险等级均为R3（中风险），本风险等级仅为基金管理人评价结果，基金代销机构评价结果不必然与基金管理人一致，请投资者在投资前根据所适用的销售机构的风险测评以及匹配结果独立做出投资决策。

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内容来源：有连云