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科创芯片设计ETF鹏华(589170)涨超2.4%,科创芯片ETF鹏华(588920)涨超1.5%,国产GPU放量带动Drmos需求高速增长

日期: 2026-06-18 10:19

消息面上,国产GPU放量带动Drmos需求高速增长,下游各客户均加速国产替代导入,26-27年Drmos国产化正式开启。

华福证券指出,DrMOS作为高端AI电源核心配置已成为全行业共识。凭借自身无可替代的性能优势,DrMOS产品正快速完成场景渗透,从高端服务器逐步拓展至通用AI服务器、边缘算力、智算中心等多个核心场景。

截至2026年6月18日 10:11,上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨2.13%,成分股裕太微上涨14.06%,盛科通信上涨6.38%,寒武纪上涨5.91%,新相微,慧智微等个股跟涨。科创芯片设计ETF鹏华(589170)上涨2.43%, 冲击4连涨。最新价报1.31元。科创芯片ETF鹏华(588920)上涨1.55%, 冲击4连涨。最新价报2.56元。

科创芯片设计ETF鹏华紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数,上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本,以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。

数据显示,截至2026年5月29日,上证科创板芯片设计主题指数(950162)前十大权重股分别为澜起科技、寒武纪、海光信息、佰维存储、芯原股份、睿创微纳、东芯股份、晶晨股份、盛科通信、普冉股份,前十大权重股合计占比64.59%。

科创芯片设计ETF鹏华(589170),场外联接(A:027608;C:027609)。

内容来源:有连云

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