2026年2月26日，功率半导体板块在A股市场掀起波澜。国产功率半导体龙头新洁能宣布MOSFET产品涨价10%起，3月1日起发货生效。
【财华社讯】英诺赛科(02577.HK)高开近15%，截止发稿，涨14.34%，报88.5港元。消息面上，该公司公布，英诺赛科正与NVIDIA合作，携手支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图的扩展提供保障。英诺赛科第三代氮化镓技术具备决定性优势，在800V输入侧，英诺赛科氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)相比在每个开关半周期內可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10%；在54V输出端，仅需16颗英诺赛科氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，不仅将功率密度提升一倍，还使驱动损耗降低90%；与现有机架架构中的硅MOSFET相比，800VDC的低压电源转换阶段采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积內实现功率输出提升40%，大幅提升功率密度。作为业內唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案。
【财华社讯】8月21日，三安光电(600703.SH)在互动平台表示，湖南三安的主驱逆变器用SiC MOSFET已从1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ。
【财华社讯】8月20日，捷捷微电(300623.SZ)在互动平台表示，公司目前与其属于二级供应商关系。公司有部分MOSFET产品可应用于光伏逆变器领域，有相关防护器件通过间接合作的方式用于该系列手机无线/有线快充里面。
7月18日，纳芯微(688052.SH)在互动平台表示，公司的SiC二极管采用MPS结构设计，与传统的结构相比，具有显着优势。公司的SiC二极管具有更低的正向导通电压，同时在面对瞬态高电流冲击时，具备更强的抗浪涌能力。除SiC二极管产品外，公司也在积极研发和验证1200V SiC MOSFET产品。公司的SiC MOSFET产品将经过全面的车规级验证，以确保符合汽车级应用的要求。
5月8日，东微半导(688261.SH)在互动平台表示，公司已订购SiC器件制造和工艺实验相关的部分关键设备，加大SiC制造产业链的资本投入。同时在技术研发上，公司已布局包括沟槽柵SiC MOSFET器件结构等核心专利技术，双管齐下快速推进SiC MOSFET产业化。
2月6日，禾望电气(603063.CN)在互动平台表示，公司组串式光伏逆变器有使用到碳化硅MOSFET器件。
5月18日，次新股东微半导（688261.SH）继续拉升，盘中一度触及240.2元/股，创下历史新高，截至收盘，该股收涨1.53%，股价为234.44元。自4月27日至今，该股反弹趋势明显，累计涨幅54.24%，市值突破158亿元。
4月25日，捷捷微电（300623.SZ）公告，控股子公司捷捷（南通）科技有限公司拟投资建设“高端功率半导体产业化建设项目（二期）”，总投资6.5亿元。受市场影响，自去年12月份高点至今，捷捷微电股价已下跌超50%，公司目前市值仅131亿元。值得一提的是，近期，公司接待了百余家机构调研，包括中信证券，中欧基金，红杉资本，仁桥资产等一众明星机构参与。
刚上市，业绩就大幅增长。2月24日，东微半导发布业绩快报，2021年营业收入为7.82亿元，同比增长153.28%；归母净利润1.46亿元，同比增长429.12%。2月25日，东微半导股价高开震荡，报收186元/股，目前市值125.3亿元。值得注意的是，公司2月10号才登陆科创板，当日股价收盘为130.11元/股，随后股价便一路上扬，不断创出新高，半个月的时间，股价大幅上涨超40%，资金追涨情绪很高。
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