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湖北江城实验室研制三维多层片上电容;科创半导体ETF华夏(588170)上涨2.63%,半导体设备ETF华夏(562590)上涨3.01%

日期: 2026-06-15 10:16

截至2026年6月15日10:08,科创半导体ETF华夏(588170)上涨2.63%,半导体设备ETF华夏(562590)上涨3.01%。热门个股方面,中巨芯上涨9.98%,华海清科上涨7.11%,耐科装备上涨6.90%,华兴源创,新益昌等个股跟涨。

消息面上,据湖北江城实验室消息,该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破,成功研制出三维多层片上电容,电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片,支撑高算力、低功耗芯片研发。

相关ETF:科创半导体ETF华夏(588170)及其联接基金(A类:024417;C类:024418):跟踪指数是科创板唯一的半导体设备主题指数,其中存储芯片含量近80%,先进封装含量在全市场中最高(约59%),聚焦于科技创新前沿的硬核设备公司。

半导体设备ETF华夏(562590)及其联接基金(A类:020356;C类:020357):跟踪中证半导体材料设备主题指数,其中半导体设备的含量在全市场指数中最高(约63%),直接受益于全球芯片涨价潮对“卖铲人”(设备商)的确定性需求。

内容来源:有连云

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